ADL5801会自动降低偏置以实现低噪声指数和低功耗

，带内阻塞信号可能会导致动态性能下降，其典型值优于 -40 dBm， ADL5801采用SiGe高性能IC工艺制造，自适应偏置功能使得该款器件能够在出现强阻塞信号时实现高IP3性能，可选的输入功率检波器用于自适应偏置控制，工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，该器件的高输入线性度使其能够满足这一应用的苛刻要求，该器件采用 4 mm×4 mm、24引脚紧凑型LFCSP封装，在手机应用中，当阻塞信号被消除后，可提供10 MHz至6 GHz的宽动态范围频率转换，同时提供评估板，偏置调整特性可通过单一控制引脚实现输入线性度、单边带(SSB)噪声系数以及直流电流的最优化，集电极开路中频输出的宽频率范围使得ADL5801适合用作各种传输应用中的上变频器， 平衡的有源混频器配置可提供出色的本振至射频和本振至中频泄漏，ADL5801会自动降低偏置以实现低噪声指数和低功耗， ADL5801集成高线性度双平衡有源混频器内核和本振(LO)缓冲放大器，专有的线性化架构使混频器能在高输入电平下提供增强的IP3性能，中频输出提供7.8 dB(典型值)的电压转换增益，当负载为 200 Ω 时，。