在可见光区是透eV，禁带宽度为3．6eV，并且CuSCN和Cu20纳米薄膜在太阳能电池、异质结、光催化、气体传感器等方面具有广阔的应用前景，具有无毒、成本低廉、存储量丰富等优点，最后还研究了CuSCN薄膜的光学性能，采用简单的方法制备稳定可靠的大面积均匀P型CuSCN纳米薄膜和Cu20纳米线薄膜仍然是目前研究的难点，然而，本文采用固液界面原位生长法制备了CuSCN纳米薄膜和Cu20纳米线网络结构薄膜，CuSCN和Cu20都是Cu基半导体材料，然后将其浸泡在硫氰酸盐溶液中，制备出大面积均匀的CuSCN薄膜，在可见光区有明的；Cu20也是一种本征为P型的半导体，2、在制备C ，禁带宽度为2．17较高的光吸收，我们研究了不同的硫氰酸盐、反应时间、反应温度等对CuSCN形貌的影响，研究了其光学性能、磁性能、光致发光性能，。
摘要CuSCN是一种本征P型宽禁带半导体，本文主要工作列举如下：1、采用真空热蒸镀的方法制备均匀的Cu薄膜。