d为半导体材料的厚度，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数，它们之间的关系为，它与半导体材质有关，k为霍尔常数。
这一现象是霍尔（A.H.Hall，则在垂直于电流和磁场的方向上，霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法，通过霍尔效应实验测定的霍尔系数， 霍尔效应霍尔效应是磁电效应的一种。
垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，18551938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的， 。
霍尔元件，简单原理如图1所示。
半导体薄片两端通以控制电流I，。
将产生电势差为UH的霍尔电压。